場效應(yīng)管（FET）是一種通過電場效應(yīng)控制電流的半導(dǎo)體器件，它主要包括結(jié)型（JFET）和絕緣柵型（MOSFET）兩大類。這些器件在電子電路中扮演著關(guān)鍵角色，它們的工作原理和特性決定了它們在不同應(yīng)用中的適用性。

場效應(yīng)管的類型及其工作原理

結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）：

    結(jié)構(gòu)：JFET有兩種結(jié)構(gòu)形式，N溝道結(jié)型和P溝道結(jié)型。它們都具有三個電極：柵極、漏極和源極。

   工作原理：以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例，其工作原理是通過柵極電壓控制PN結(jié)形成的耗盡區(qū)，從而改變漏極和源極之間導(dǎo)電溝道的寬度，實現(xiàn)對漏極電流的控制。JFET通常為耗盡型，意味著在沒有柵極電壓時，溝道已經(jīng)存在，施加負(fù)電壓可以進(jìn)一步增加耗盡區(qū)，減少溝道寬度，從而降低漏極電流。

絕緣柵場效應(yīng)管（MOSFET）：

    結(jié)構(gòu)：MOSFET由金屬、氧化物和半導(dǎo)體組成，因此也稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管。它也有N溝道型和P溝道型，每種又分為增強(qiáng)型和耗盡型。

    工作原理：以N溝道增強(qiáng)型MOSFET為例，它通過柵極電壓控制“感應(yīng)電荷”的多少，改變導(dǎo)電溝道的狀況，從而控制漏極電流。在制造過程中，通過工藝在絕緣層中形成大量正離子，使得在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，形成導(dǎo)電溝道。增強(qiáng)型MOSFET在柵極電壓為零時不形成溝道，只有在施加正電壓后才能導(dǎo)電。

場效應(yīng)管的不同導(dǎo)電方式

    耗盡型：在柵壓為零時，已經(jīng)存在較大的漏極電流。
    增強(qiáng)型：在柵壓為零時，漏極電流為零，必須施加一定的柵壓后才能形成導(dǎo)電溝道，從而產(chǎn)生漏極電流。

場效應(yīng)管的應(yīng)用

場效應(yīng)管因其高輸入阻抗、低噪聲和抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)，在各種電子設(shè)備中有著廣泛的應(yīng)用，如放大器、開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動、照明調(diào)光等。它們的單極型導(dǎo)電特性使得場效應(yīng)管在集成電路中占據(jù)了重要地位，尤其是在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中的應(yīng)用。

在選擇場效應(yīng)管時，需要考慮其直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，以確保器件能夠在特定的應(yīng)用中安全有效地工作。通過理解不同類型場效應(yīng)管的工作原理和特性，工程師可以為他們的電路設(shè)計選擇合適的器件。